«Роснано» лишилось поставок американского оборудования для завода по производству микросхем MRAM-памяти из-за санкций США. Об этом заявил в интервью ИТАР-ТАСС глава «Роснано» Анатолий Чубайс.
«Часть оборудования должна была поставить американская Applied Materials, но отказалась», — подчеркнул Чубайс. По его словам, что отказ американской компании от сотрудничества не привел к срыву пуска завода, а договоренности о поставке необходимого оборудования были достигнуты с поставщиком из Китая.
Глава «Роснано» подчеркнул, что в настоящее время строительство предприятия «Крокус наноэлектроника» по производству магниторезистивной памяти находится в завершающей стадии строительства в технополисе «Москва». Первую очередь завода по производству MRAM-памяти с проектными нормами 90 нанометров «Крокус Наноэлектроника» запустила в октябре 2013 года.
Отмечается, что микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash. Объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование «Роснано» в размере 100 млн евро. Ожидаемый объем общего рынка продукции «Крокус наноэлектроника» в 2014 году составляет более 8 млрд долларов.