Разработан самый быстрый полевой нанотранзистор

Группа исследователей из Гарвардского университета под руководством доктора Чарльза Либера (Charles Lieber) создали самый лучший на сегодняшний день нанотранзистор, состоящий из германиево-кремниевого ядра и кремниевых нанострун, сообщает Nanotechweb.

Доктор Либер и его коллеги создали структуру «ядро-нити» в Ge/Si-наноструктуре с надежными омическими контактами и высокой мобильностью носителей зарядов. Было установлено, что время переключения нанотранзистора приближается к аналогичным показателям у транзистора из нанотрубок. И, естественно, оно выше, чем у традиционных MOSFET-устройств, пишут C-News.

"Мы доказали, что наш Ge/Si нанострунный FET (полевой транзистор) быстрее в 3–4 раза, чем современные кремниевые CMOS, — комментирует открытие доктор Либер. — Также наш нанотранзистор может посоревноваться в области быстродействия с обычными плоскими полевыми FET. Мы надеемся, что вскоре в микроэлектронной индустрии появится новый стандарт FET-устройств — нанострунный Ge/Si FET. Создание такого устройства стало возможным в основном благодаря проведенным ранее фундаментальным исследованиям в области наноэлектроники."

Либер убежден в том, что нанотранзистор будет востребован производителями чипов для дальнейшего использования в скоростной логике нового поколения. Не секрет, что традиционная CMOS-технология уже не может обеспечить нужного быстродействия для ее использования в микропроцессорах будущего. Новый нанотранзистор технологически совместим с логическими схемами на прозрачных и гибких основах — пластике, органических пленках и т.п.

Сейчас исследователи планируют уменьшить размер нанотранзистора для того, чтобы его можно было использовать в интегральных схемах и разрабатывают технологию массового производства подобных устройств.

Образование в области нанотехнологий и информатики можно получить

•  в Московском физико-техническом государственном университете